| 品牌：士兰微 | 型号：SVF4N65 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：SW-REG/开关电源 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：IGBT绝缘栅比极 |
常用mosfet
型号：SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
一、描述
常用mosfet提供的SVF4N65T/F/M/MJ/D/KN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。***的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该常用mosfet产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
二、特点
? 4A，650V，RDS(on)(典型值)=2.3Ω@VGS=10V
? 低栅极电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? 提升了dv/dt 能力
东莞市中铭电子有限公司
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中铭***：
